电子级多晶硅属于电子化学品检测种类之一。多晶硅产品主要用氯硅烷、硅烷来加工制造而成的。电子级多晶硅最新的检测标准为GB/T 12963-2014《电子级多晶硅》。虽然多晶硅标准早进行发布并修改，但是我国多晶硅生产工艺技术与产能跟国外的巨大差异。所以其工艺技术研究一直在半导体行业的重要方向。拜恩检测工程师今天就GB/T 12963-2014对电子级多晶硅检测标准的相关规定，与大家分析讨论一下。
首先我们应该知道GB/T 12963-2014是对09版的补充和修改。电子级多晶硅想要达到先进技术指标，就必须与国外标准保持水平一致，满足半导体材料行业的技术发展需求，但是也要考虑到国内生产工艺水平，只有科学、合理的对多晶硅的技术要求、性能指标进行规定，方才能真正得到肯定和执行。09版对于多晶硅的参数在施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度等指标上是有欠缺的，所以GB/T 12963-2014在这些方面规定都得到了及时补充增加。此外因为多晶硅的质量等级分1级、2级、3级三个标准，所以GB/T 12963-2014在碳浓度上也分别进行调整修改。
其次，电子级多晶硅的检测项目及等级要求可以说一份检测报告的核心数据。具体检测项目如下：
由此我们可以看出，电子级多晶硅检测项目主要有施主杂质浓度、受主杂质浓度、少数载流子寿命、碳浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度等。而老版的标准只对基磷电阻率、基硼电阻率、碳浓度、少数载流子寿命四个指标进行了规定。所以可以看出GB/T 12963-2014的修改更为彻底。这里我们还应该知道，基体金属杂质检测主要为铁、铬、镍、铜、锌、钠等金属。表面金属杂质检测为铁、镍、铬、铜、锌、铝、钾、钠等金属。
除此之外，电子级多晶硅的导电类型分为N型和P型。结构要求为无氧化夹层。外观要求表面结构致密、平整，断面边缘的颗粒不能大于3mm，除此之外不能有色斑、变色及可见的污染物等缺陷。由于分为块状多晶硅，棒状多晶硅等外形，所以多晶硅还需要进行尺寸及允许偏差的测定，当然这些都可以由供需双方来协商确定。
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